功能描述：MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK

制造商：stmicroelectronics

系列：STripFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：42nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2600pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：134W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 40A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：1

STD13N60M2

STD13N65M2

STD13NM60N

STD13NM60ND

STD13NM60N-H

STD13NM60NT4

STD14NM50N

STD150N2LH5

STD150N3LLH6

STD150NH02L